PHD63NQ03LT/T3 datasheet
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>> PHD63NQ03LT/T3 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
PHD63NQ03LT/T3
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS
PHD63NQ03LT/T3 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
晶体管极性
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-428
相关资料
属性
链接
代理商
PHD63NQ03LT/T3
PHD66NQ03LT
PHD66NQ03LT,118
PHD66NQ03LT/T3
PHD66NQ03LT+118
PHD69N03LT
供应商
公司名
电话
深圳市科视通电子科技有限公司
15807673644
刘先生 陈小姐 黄小姐
万三科技(深圳)有限公司
18818598465
王俊杰
上海航霆电子技术有限公司
0755-83742594
林生18701789587
深圳市众多星电子有限公司
13425282350
欧先生
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
PHD63NQ03LT/T3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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